图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMBTH10(-4)LT1 |
| 文档 |
Glue Mount Process 11/July/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 频率转换 | 800MHz |
| 噪声系数（dB的典型@ F） | - |
| 增益 | - |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 120 @ 4mA, 10V |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3SOT-23 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 25 V |
| 最小直流电流增益 | 120@4mA@10V |
| 最大工作频率 | 800(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.4mA@4mA V |
| 最大集电极基极电压 | 30 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 3 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 25 V |
| 增益带宽产品fT | 800 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 120 at 4 mA at 10 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大基地发射极电压 | 3 |
| Maximum Transition Frequency | 800(Min) |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 25 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 800MHz |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 120 @ 4mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMBTH10-4LT1GOSCT |
| 集电极 - 基极电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 25 V |
| 发射极 - 基极电压 | 3 V |
| 频率（最大） | 800 MHz |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 120 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 800 MHz |
| 直流电流增益 | 120 |
| 频率 - 跃迁 | 800MHz |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 4mA, 10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 25V |
| 系列 | MMBTH10L |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 身高 | 0.94 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 长度 | 2.9 mm |
| Pd - Power Dissipation | 225 mW |
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